ОТ ДИОДА ДО ЛУНОХОДА

Комплексные поставки радиоэлектроники

Новые CoolSiC MOSFET 650 В – революция в области источников питания.


infineon_coolsic_mosfet

Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC).
Для разработчиков новые транзисторы – это уникальная комбинация производительности, надежности и эффективности, а также малая зависимость сопротивления открытого канала Rds(on) от температуры по сравнению с обычными кремниевыми MOSFET.

Особенности:


Области применения:

 

Остались вопросы по оборудованию?

Наши специалисты ответят на ваши вопросы, а также подберут необходимое оборудование для проведения калибровки генераторов сигналов, ступенчатых аттенюаторов и других измерительных приборов.
Наши контакты:
Телефоны: +7(499) 450-48-44 | +7(473) 212-00-73
E-mail: info@eltsi.ru

Контакты:

Общество с ограниченной ответственностью «ТСИ»
Юридический адрес:
123060, г. Москва, ул. Маршала Рыбалко, д. 2, корп. 6, этаж 11, пом. I, ком. 28, оф. 2.
Адрес филиала в Воронеже:
394005, г. Воронеж, ул. Владимира Невского 25/5.
Телефоны:
+7(499) 450-48-44 | +7(473) 212-00-73
Почта:
info@eltsi.ru / sales@eltsi.ru